氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態

<listing id="l9bhj"><var id="l9bhj"></var></listing>

<var id="l9bhj"><strike id="l9bhj"></strike></var>

<menuitem id="l9bhj"></menuitem>

<var id="l9bhj"></var><cite id="l9bhj"><video id="l9bhj"></video></cite>

<menuitem id="l9bhj"></menuitem>

<cite id="l9bhj"><strike id="l9bhj"><listing id="l9bhj"></listing></strike></cite><cite id="l9bhj"><span id="l9bhj"><menuitem id="l9bhj"></menuitem></span></cite>

<var id="l9bhj"></var>

<var id="l9bhj"></var>

<var id="l9bhj"></var>

留言板

尊敬的讀者、作者、審稿人, 關于本刊的投稿、審稿、編輯和出版的任何問題, 您可以本頁添加留言。我們將盡快給您答復。謝謝您的支持!

姓名
郵箱
手機號碼
標題
留言內容
驗證碼

氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態

涂軍波, 孫加林, 洪彥若

文章導航 > 工程科學學報 > 2005 > 27(3): 317-320

涂軍波, 孫加林, 洪彥若. 氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態[J]. 工程科學學報, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

引用本文:

涂軍波, 孫加林, 洪彥若. 氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態[J]. 工程科學學報, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

TU Junbo, SUN Jialin, HONG Yanruo. Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation[J]. Chinese Journal of Engineering, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

Citation:

TU Junbo, SUN Jialin, HONG Yanruo. Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation[J]. Chinese Journal of Engineering, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

涂軍波, 孫加林, 洪彥若. 氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態[J]. 工程科學學報, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

引用本文:

涂軍波, 孫加林, 洪彥若. 氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態[J]. 工程科學學報, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

TU Junbo, SUN Jialin, HONG Yanruo. Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation[J]. Chinese Journal of Engineering, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

Citation:

TU Junbo, SUN Jialin, HONG Yanruo. Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation[J]. Chinese Journal of Engineering, 2005, 27(3): 317-320. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

氮化燒成后硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2005.03.015

1. 北京科技大學材料科學與工程學院, 北京 100083;
2. 河北理工大學材料學院, 唐山 063009

基金項目:

國家自然科學基金資助項目(No.50172007

No.50332010)

作者簡介:
涂軍波(1971-),男,講師,博士研究生

中圖分類號: T175
計量
- 文章訪問數: 120
- HTML全文瀏覽量: 22
- PDF下載量: 6
- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 2004-04-30
- 修回日期: 2004-09-20
- 網絡出版日期: 2021-08-17

Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation

1. Materials Science and Engineering School, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China;
2. College of Materials, Hebei Polytechnic University, Tangshan 063009, China

摘要: 研究了不同溫度氮化燒成后,硅在剛玉氮化硅材料中的賦存形態.結果表明:1300℃氮化后,硅的外層包裹著絮狀的0'-Sialon;1400℃時,硅顆粒破裂且內部有氮化硅生成; 1500℃時,已沒有殘留硅保留下來,硅氮化生成了0'-Sialon和氮化硅;1600℃時,硅氮化完全,其中的雜質相CaO,Fe₂O₃等富集在一起.
- 硅 /
- 剛玉氮化硅 /
- 氮化 /
- 賦存形態
Abstract: The morphology of silicon was studied in corundum silicon-nitride composites after nitridation at different temperatures. The results showed that silicon was wrapped by flocculant O'-Sialon at 1300℃. Silicon grains were broken and silicon nitride formed inside the grains at 1400℃. All silicon was nitrided into O'-Sialon or silicon nitride without any silicon left at 1500℃. Impurities from silicon such as CaO, Fe₂O₃ were aggregated at 1600℃.
- silicon /
- corundum-silicon nitride /
- nitridation /
- morphology

參考文獻(0)

資源附件(0)

WeChat

點擊查看大圖

計量

文章訪問數: 120
HTML全文瀏覽量: 22
PDF下載量: 6
被引次數: 0

/

下載: 全尺寸圖片幻燈片

分享

用微信掃碼二維碼

分享至好友和朋友圈

返回