基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響

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基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響

張永平, 顧有松, 田中卓, 常香榮, 時東霞, 張秀芳

文章導航 > 工程科學學報 > 2000 > 22(2): 160-162,192

張永平, 顧有松, 田中卓, 常香榮, 時東霞, 張秀芳. 基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

引用本文:

張永平, 顧有松, 田中卓, 常香榮, 時東霞, 張秀芳. 基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

ZHANG Yongping, GU Yousong, TIAN Zhongzhuo, CHANG Xiangrong, SHI Dongxia, ZHANG Xiufang. Effect of Substrate Temperature on the Composition and Structure of Carbon Nitride Thin Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

Citation:

ZHANG Yongping, GU Yousong, TIAN Zhongzhuo, CHANG Xiangrong, SHI Dongxia, ZHANG Xiufang. Effect of Substrate Temperature on the Composition and Structure of Carbon Nitride Thin Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

張永平, 顧有松, 田中卓, 常香榮, 時東霞, 張秀芳. 基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

引用本文:

張永平, 顧有松, 田中卓, 常香榮, 時東霞, 張秀芳. 基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

ZHANG Yongping, GU Yousong, TIAN Zhongzhuo, CHANG Xiangrong, SHI Dongxia, ZHANG Xiufang. Effect of Substrate Temperature on the Composition and Structure of Carbon Nitride Thin Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

Citation:

ZHANG Yongping, GU Yousong, TIAN Zhongzhuo, CHANG Xiangrong, SHI Dongxia, ZHANG Xiufang. Effect of Substrate Temperature on the Composition and Structure of Carbon Nitride Thin Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 160-162,192. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

基體溫度對碳氮薄膜成分和結構的影響

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.018

1. 北京科技大學材料科學與工程學院, 北京 100083;
2. 中國科學院物理所北京真空物理實驗室, 北京 100080

基金項目:

國家自然科學基金資助課題(No.19674009)

作者簡介:
張永平,男,33歲,博士生

中圖分類號: O484.1
計量
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出版歷程
- 收稿日期: 1999-01-12
- 網絡出版日期: 2021-08-27

Effect of Substrate Temperature on the Composition and Structure of Carbon Nitride Thin Films

1. Material Science and Engineering School, UST Beijing, Beijing 100083, China;
2. Beijing Laboratory of Vacuum Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080

摘要: 采用微波等離子體化學氣相沉積法,N₂/CH₄作反應氣體,在Si(100)基體上沉積β-C₃N₄化合物.使用X射線光電子能譜(XPS)研究了基體溫度對碳氮薄膜的成分和結構的影響,結果表明:隨著溫度的提高,N/C原子比迅速提高,α-和β-C₃N₄在薄膜中的比例隨之提高,超過一定的溫度后,N/C原子比將會降低.傅立葉變換紅外光譜(FT-IR)和喇曼(Raman)譜結果支持C-N鍵的存在.
- β-C₃N₄ /
- 微波等離子體化學氣相沉積 /
- 薄膜
Abstract: The carbon nitride thin films have been prepared on Si substrates, using N,/CH. as reactive gases, by microwave chemical vapor deposition method. The effect of substrate temperature on the composition and structure of carbon nitride thin films were studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). As the substrate temperature increased, the N/C atomic ratios increased rapidly first and then decreased a little after a crucial temperature. Fourier transform infrared (FT-IR) and Raman spectra support the existence of C-N covalent bond.
- β-C₃N₄ /
- microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD) /
- thin films

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