溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬

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溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬

周國輝, 王東雷, 黃一中, 褚武揚, 周富信

文章導航 > 工程科學學報 > 1997 > 19(6): 605-609

周國輝, 王東雷, 黃一中, 褚武揚, 周富信. 溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

引用本文:

周國輝, 王東雷, 黃一中, 褚武揚, 周富信. 溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

Zhou Guohui, Wang Donglei, Huang Yizhong, Chu Wuyang, Zhou Fuxin. Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

Citation:

Zhou Guohui, Wang Donglei, Huang Yizhong, Chu Wuyang, Zhou Fuxin. Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

周國輝, 王東雷, 黃一中, 褚武揚, 周富信. 溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

引用本文:

周國輝, 王東雷, 黃一中, 褚武揚, 周富信. 溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

Zhou Guohui, Wang Donglei, Huang Yizhong, Chu Wuyang, Zhou Fuxin. Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

Citation:

Zhou Guohui, Wang Donglei, Huang Yizhong, Chu Wuyang, Zhou Fuxin. Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 605-609. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

溫度和加載速率對位錯發射影響的原子級模擬

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.018

1. 北京科技大學應用科學學院, 北京 100083;
2. 中科院力學研究所, 北京 100080

基金項目:

國家自然科學基金資助項目

作者簡介:
周國輝男 26歲博士生

中圖分類號: O772;TG111.2
計量
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- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 1997-09-12
- 網絡出版日期: 2021-09-10

Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission

1. Applied Science School, UST Beijing, Beijing 100083, China;
2. Institute of Mechanics, Chinese Academy of Sciences, 100080

摘要: 以Al作為研究對象，采用EAM勢實施分子動力學模擬.在Ⅰ型和Ⅱ型加載條件下，研究了溫度和取向對位錯發射、裂紋脆性及韌性擴展的影響.模擬結果表明，升高溫度，發射位錯的臨界應力強度因子按指數規律降低.加載速率在一定范圍內將影響臨界應力強度因子.臨界應力強度因子隨著加載速率的增大而增大.
- 位錯發射 /
- 分子動力學 /
- 原子級模擬 /
- Al
Abstract: Utilizing EAM potential,Al single crystal with molecular dynamicssimulation method was studied. Under mode Ⅰ and Ⅱ loading, the influence of temperature and loading rate on dislocation emission and the criticalstress intensity factor was analyzed.The simulatedresults show that the critical stress intensity factor for dislocation emission decreases exponentiallyas the temperature increases. Loading rate will influence the critical stress intensity factor to some degree. The critical stress intensity factor will increase as loading rate increases.
- dislocation emission /
- molecular dynamics /
- atomistic simulation /
- Al

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