<i>β</i>-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纖維及柱晶的制取

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β-Si₃N₄纖維及柱晶的制取

曹永革, 葛昌純, 周張健

文章導航 > 工程科學學報 > 1997 > 19(6): 571-575

曹永革, 葛昌純, 周張健. β-Si3N4纖維及柱晶的制取[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

引用本文:

曹永革, 葛昌純, 周張健. β-Si₃N₄纖維及柱晶的制取[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

Cao Yongge, Ge Changchun, Zhou Zhangjian. Fabrication of β-Si3N4 Fibers and Columan Cystals[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

Citation:

Cao Yongge, Ge Changchun, Zhou Zhangjian. Fabrication of β-Si₃N₄ Fibers and Columan Cystals[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

曹永革, 葛昌純, 周張健. β-Si3N4纖維及柱晶的制取[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

引用本文:

曹永革, 葛昌純, 周張健. β-Si₃N₄纖維及柱晶的制取[J]. 工程科學學報, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

Cao Yongge, Ge Changchun, Zhou Zhangjian. Fabrication of β-Si3N4 Fibers and Columan Cystals[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

Citation:

Cao Yongge, Ge Changchun, Zhou Zhangjian. Fabrication of β-Si₃N₄ Fibers and Columan Cystals[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(6): 571-575. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

β-Si₃N₄纖維及柱晶的制取

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.06.011

北京科技大學特種陶瓷粉末冶金研究室, 北京 100083

基金項目:

國家自然科學基金資助項目

作者簡介:
曹永革男 27歲博士

中圖分類號: TQ038
計量
- 文章訪問數: 227
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- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 1997-09-29
- 網絡出版日期: 2021-09-10

Fabrication of β-Si₃N₄ Fibers and Columan Cystals

Laboratory of Special Ceramics and P/M, UST Beijing, Beijing 100083, China

摘要: 采用燃燒合成工藝，制取了細長的β-Si₃N₄纖維·纖維頂端有小球，小球中含Si，Al成分，纖維有扭曲、擰結現象.VLS機制是控制纖維生長的主要機制.晶體頂端有螺旋生長蜷線.燃燒合成的β-Si₃N₄為六方柱晶，表面無缺陷。柱晶主要通過VC機制生長。β-Si₃N₄柱晶是從微晶β-Si₃N₄中長出的，其生長具有晶格繼承性.異相添加劑和少量雜質Al的引入有利于形成較長的柱晶和纖維。控制原始反應物中的添加劑含量，保持較高的燃燒溫度，是制取β-Si₃N₄纖維的關鍵。
- β-Si₃N₄纖維 /
- 燃燒合成 /
- VLS /
- VC生長機制
Abstract: β-Si₃N₄ fibers were fabricated through combustion synthesis （CS） process.Droplets composed of Si and Al at the tip of fibers were found. It is concluded that the growth of β-Si₃N₄ fibers is controled mainly by VLS mechanism. Hexagonal colummna single crystal β-Si₃N₄ with smooth surface and without any default was also found in the conbustion process of silicon powder. VC process is the controled mechanism for the growth of colummna single crystal β-Si₃N₄.
- β-Si₃N₄ fibers /
- combustion synthesis /
- VLS /
- VC growth mechanism

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