氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究

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氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究

文章導航 > 工程科學學報 > 1997 > 19(5): 505-509

吳平. 氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究[J]. 工程科學學報, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

引用本文:

吳平. 氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究[J]. 工程科學學報, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

Wu Ping. Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

Citation:

Wu Ping. Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

吳平. 氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究[J]. 工程科學學報, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

引用本文:

吳平. 氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究[J]. 工程科學學報, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

Wu Ping. Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

Citation:

Wu Ping. Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(5): 505-509. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

氫化非晶態硅薄膜的滲氫內耗實驗研究

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.05.019

吳平

北京科技大學應用科學學院, 北京 100083

作者簡介:
吳平女 34歲副教授碩士

中圖分類號: TG113.226
計量
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- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 1997-03-04
- 網絡出版日期: 2021-09-10

Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen

Wu Ping

Applied Science School, UST Beijing, Beijing 100083, China

摘要: 用簧片振動法研究了GDa－Si：H薄膜氣氛滲氫后的內耗.當測量頻率為47.5Hz時，在－46℃處觀察到氫致內耗峰，其激活能為0.30±0.05eV，弛豫時間因子為3.52×10^-9 s.
- 內耗 /
- 非晶硅 /
- 氫致內耗峰
Abstract: The internal friction of GD a-Si:H films charged with hydrogen in hydrogen atmosphere were measured by reed vibrating method. As a result, hydrogen related peak appears at 47.5Hz and -46℃ with activation energy (0.30 ±0.05)eV and relaxation time 3.52×10^-9 s. Further research is needed to make the nature clear.
- internal friction /
- amorphous silicon /
- hydrogen related peak

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