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低飽和場巨磁電阻金屬多層膜Ni80Fe20/Cu的結構與磁電阻

姜宏偉 閻明朗 賴武彥 柴春林 朱逢吾

姜宏偉, 閻明朗, 賴武彥, 柴春林, 朱逢吾. 低飽和場巨磁電阻金屬多層膜Ni80Fe20/Cu的結構與磁電阻[J]. 工程科學學報, 1997, 19(4): 360-364. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.04.031
引用本文: 姜宏偉, 閻明朗, 賴武彥, 柴春林, 朱逢吾. 低飽和場巨磁電阻金屬多層膜Ni80Fe20/Cu的結構與磁電阻[J]. 工程科學學報, 1997, 19(4): 360-364. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.04.031
Jiang Hongwei, Yan Minglang, Lai Wuyan, Chai Chunlin, Zhu Fengwu. Giant Magnetoresistance Effect and Microstructure for Metallic Multilayers Ni80Fe20/Cu with Low Saturation Field[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(4): 360-364. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.04.031
Citation: Jiang Hongwei, Yan Minglang, Lai Wuyan, Chai Chunlin, Zhu Fengwu. Giant Magnetoresistance Effect and Microstructure for Metallic Multilayers Ni80Fe20/Cu with Low Saturation Field[J]. Chinese Journal of Engineering, 1997, 19(4): 360-364. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.04.031

低飽和場巨磁電阻金屬多層膜Ni80Fe20/Cu的結構與磁電阻

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1997.04.031
基金項目: 

中國科學院K951-A1-401基金

詳細信息
    作者簡介:

    姜宏偉 男 30歲 博士

  • 中圖分類號: TM271

Giant Magnetoresistance Effect and Microstructure for Metallic Multilayers Ni80Fe20/Cu with Low Saturation Field

  • 摘要: 采用磁控濺射方法,獲得了具有低飽和場巨磁電阻的Ni80Fe20/Cu由金屬多層膜.在室溫下,其磁電阻和層間耦合狀態隨Cu層厚度的增加呈振蕩變化.在Cu層厚度tcu=1.0nm,2.2nm時磁電阻出現2個峰值分別為19.4%和11.7%,飽和場約為6.4×104 A/m和8×103 A/m,低溫下(77K)磁電阻為對33.2%和27.6%.系統地研究了NiFe層厚度和周期數對多層膜磁電阻的影響.用真空退火方法對樣品進行熱處理,發現多層膜的磁電阻性能有明顯改變.

     

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出版歷程
  • 收稿日期:  1997-05-24
  • 網絡出版日期:  2021-09-04

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