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李茹茹. 金屬氧化物半導體一維材料H2S傳感器研究進展[J]. 工程科學學報. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2022.10.11.001
引用本文: 李茹茹. 金屬氧化物半導體一維材料H2S傳感器研究進展[J]. 工程科學學報. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2022.10.11.001
Research progress of metal oxide semiconductor one-dimensional material H2S sensor[J]. Chinese Journal of Engineering. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2022.10.11.001
Citation: Research progress of metal oxide semiconductor one-dimensional material H2S sensor[J]. Chinese Journal of Engineering. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2022.10.11.001

金屬氧化物半導體一維材料H2S傳感器研究進展

doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2022.10.11.001
詳細信息
  • 中圖分類號: TG146.4

Research progress of metal oxide semiconductor one-dimensional material H2S sensor

  • 摘要: 金屬氧化物半導體具有較好的氣敏性,基于金屬氧化物半導體H2S氣體傳感特性得到廣泛研究。然而,隨著氣體檢測精細程度的增加,需要設計不同結構納米材料,來實現氣體傳感器檢測下限和靈敏度的提高。同其他維度結構納米材料相比,一維結構納米材料由于具有良好的結晶度和獨特的電子輸運特性,在H2S氣敏性能提升上有明顯優勢。因此,本文主要以H2S氣體為主體,綜述了金屬氧化物半導體基一維結構納米材料的特點和一維結構納米材料H2S氣體傳感器的研究進展。討論了金屬氧化物半導體基一維結構納米材料對H2S氣體傳感性能的影響和氣敏機理。最后,對金屬氧化物半導體基一維結構納米材料H2S氣體傳感器的性能改進和未來應用前景進行了展望。

     

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出版歷程
  • 網絡出版日期:  2022-11-29

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